高性能大面積碳化硼薄膜在中國散裂中子源研制成功

2023-10-17 09:12　來源：科技日報責任編輯：徐明霞

發送短信 zmdsjb 到 10658300 即可訂閱《駐馬店手機報》，每天1毛錢，無GPRS流量費。

摘要：據了解，經過多年的技術攻關和工藝試制，團隊利用該裝置制備了多種規格的碳化硼薄膜，并成功應用于CSNS多臺中子譜儀上的陶瓷GEM中子探測器，實現了中子探測器關鍵技術和器件的國產化，為接下來研制更大面積的高性能新型中子探測器提供了強有力的技術支撐。

科技日報東莞10月16日電（記者龍躍梅通訊員張瑋）記者16日從中國散裂中子源（CSNS）獲悉，CSNS探測器團隊利用自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置，近日成功制備出滿足中子探測器需求的高性能大面積碳化硼薄膜樣品，單片面積達到1500毫米×500毫米，薄膜厚度1微米，全尺寸范圍內厚度均勻性優于±1.32%，是目前國際上用于中子探測的最大面積的碳化硼薄膜。

基于硼轉換的中子探測器因其優異的性能已成為當前國際上研究的熱點，隨著CSNS二期工程即將啟動，擬建的中子譜儀對大面積、高效率、位置靈敏的新型中子探測器需求緊迫。如何制備出高性能中子轉換碳化硼薄膜是其中最核心的技術，目前也只有美國、歐洲等少數幾個發達國家掌握了該項技術。2016年，在核探測與核電子學國家重點實驗室的支持下，CSNS探測器團隊與同濟大學朱京濤教授合作，開始研制一臺磁控濺射大面積鍍硼專用裝置，鍍膜厚度范圍為0.01—5微米，同時支持單、雙面鍍膜，支持射頻和直流鍍膜。2021年6月，該裝置通過驗收并投入使用。

據了解，經過多年的技術攻關和工藝試制，團隊利用該裝置制備了多種規格的碳化硼薄膜，并成功應用于CSNS多臺中子譜儀上的陶瓷GEM中子探測器，實現了中子探測器關鍵技術和器件的國產化，為接下來研制更大面積的高性能新型中子探測器提供了強有力的技術支撐。

責任編輯：徐明霞

版權聲明：

1.凡本網注明“來源：駐馬店網”的所有作品，均為本網合法擁有版權或有權使用的作品，未經本網書面授權不得轉載、摘編或利用其他方式使用上述作品。已經本網授權使用作品的，應在授權范圍內使用，并注明“來源：駐馬店網”。任何組織、平臺和個人，不得侵犯本網應有權益，否則，一經發現，本網將授權常年法律顧問予以追究侵權者的法律責任。

駐馬店日報報業集團法律顧問單位：上海市匯業（武漢）律師事務所

首席法律顧問：馮程斌律師

2.凡本網注明“來源：XXX（非駐馬店網）”的作品，均轉載自其他媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責。如其他個人、媒體、網站、團體從本網下載使用，必須保留本網站注明的“稿件來源”，并自負相關法律責任，否則本網將追究其相關法律責任。

3.如果您發現本網站上有侵犯您的知識產權的作品，請與我們取得聯系，我們會及時修改或刪除。