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第三代半導體產研院成立

2016-10-20 10:13 來源：人民網-人民日報責任編輯：fl

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摘要：原標題：第三代半導體產研院成立本報南京10月19日電（記者王偉健）如何讓半導體器件更小、耐受更高電壓、具備更低導通電阻和更快的開關速度？以氮化鎵（GaN）為主的第三代

原標題：第三代半導體產研院成立

本報南京10月19日電（記者王偉健）如何讓半導體器件更小、耐受更高電壓、具備更低導通電阻和更快的開關速度？以氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體將成為發展方向。日前，江蘇華功第三代半導體產業技術研究院成立，致力于第三代半導體技術的產業化。

硅半導體材料和器件在材料質量、器件設計、工藝優化等環節已經十分成熟，硅材料已經越來越逼近它的物理極限。中科院院士、江蘇華功第三代半導體產業技術研究院院長甘子釗教授介紹，與硅功率電子器件相比，第三代寬禁帶半導體氮化鎵具備更高耐壓、更低導通電阻和更快的開關速度等優勢，可使電源系統工作頻率更高、損耗更低、尺寸更小，具備廣闊的產業發展和應用前景。

《人民日報》（ 2016年10月20日 11 版）

(責編：賀迎春、熊旭)

責任編輯：fl

(原標題：人民網-人民日報)

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