科技日報北京5月18日電 （記者劉霞）據物理學家組織網報道，IBM蘇黎世研發(fā)中心的科學家17日宣布，他們在相變存儲（PCM）技術領域取得重大突破——首次實現了單個相變存儲單元存儲3個比特的數據。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產業(yè)化步伐，最終為物聯網時代呈指數級增長的數據提供一種簡單且快速的存儲方式。

　　目前的存儲器種類包括最常見的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、硬盤以及閃存等。過去幾年，PCM作為一種潛在的通用存儲技術，因擁有良好的讀寫速度、耐用性以及非易失性等優(yōu)勢，成為存儲產業(yè)的“后起之秀”。PCM在斷電時不會像DRAM那樣丟失數據，能承受至少1000萬次寫循環(huán)，而閃存僅能耐受3000次寫循環(huán)。但由于現有內存技術的經濟效益遠高于新的替代技術，相變存儲技術目前尚未在市場上蓬勃發(fā)展。

　　PCM材料擁有非結晶態(tài)和結晶態(tài)兩個穩(wěn)定的狀態(tài)。為了在PCM的單元內存儲“0”和“1”，先要向其施加一個高的或中等電流，“0”被編入非結晶態(tài)，“1”則被編入結晶態(tài)或者相反；再朝其施加低電壓，就能讀回寫入的數據。2011年，IBM曾實現在單個相變存儲單元中保存1個比特的數據。現在，IBM再下一城，首次成功地在單個單元內存儲了3個比特數據。

　　論文作者之一哈里斯·普茲迪斯說：“相變存儲是通用存儲器的首個實例，這種存儲器兼具DRAM和閃存的優(yōu)勢，可以解決我們目前面臨的挑戰(zhàn)。每個單元可存儲3個比特的數據是一個重要的里程碑，因為在此密度下，PCM的成本將比DRAM低很多，接近閃存。”

　　研究人員指出，未來PCM既可以獨當一面，也可作為快速緩沖貯存區(qū)，與閃存等存儲方式強強聯手。例如，將手機的操作系統(tǒng)存儲在PCM內，手機則能在數秒內啟動；或可將企業(yè)數據庫存儲在PCM內，用于處理一些如金融交易等的緊急事務。

　　 總編輯圈點

　　這是存儲行業(yè)的大消息。相變存儲器是下一代存儲器的候選者之一，因成本和技術原因，各大廠商及研究機構雖都在進行技術儲備，但對大規(guī)模應用保持謹慎。IBM的這次發(fā)布，吹響了進軍PCM市場的號角，如同閃存取代光盤軟盤，必將掀起產業(yè)更新換代，導致企業(yè)興衰沉浮。可預期的是，相變存儲器能讓PC和手機瞬間啟動、讓應用快速加載，避免了令人抓狂的等待，絕對會被市場追捧。當然，IT圈除了比技術，還要比策略，就怕IBM這次只是虛晃一槍。